我国第三代半导体材料制造设备取得新突破

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中国证券报10月24日从科技部获悉，近日，“863计划”先进制造技术领域的大尺寸碳化硅材料及器件制造设备及工艺技术研究项目通过了技术验收。

一般来说，宽带隙半导体材料如sic和gan被称为世界上第三代半导体材料。它在带隙宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性方面具有更加突出的综合优势。，特别是在耐高压和耐高温方面，因为第三代半导体材料的制造设备直接影响sic单晶衬底的质量和产量，如设备的真空度、高温加热性能、温度控制精度、高性能温度场分布和设备可靠性。

在国家863计划的支持下，由新疆天科合达蓝光半导体有限公司牵头，中科院物理研究所、半导体研究所、浙江大学等单位共同参与的研发团队成功研制了满足高压sic电力电子器件制造所需的4-6英寸sic单晶生长炉关键装备，形成了我国具有自主知识产权的4-6英寸sic单晶生长炉关键装备体系。所研制的4-6英寸通用型sic单晶炉，实现了 零微管 （微管密度